В 80-е годы

Выпущены первые приборы с зарядовой связью, начался серийный выпуск полевых транзисторов на арсениде галлия.

Заложена научная основа дальнейшего развития полупроводниковых изделий, которая оказалась востребована радиоэлектронной промышленностью лишь в начале ХХI века. Это импульсные сверхмощные СВЧ кремниевые транзисторы с отдаваемой мощностью до 1 кВт и выше, широкополосные кремниевые СВЧ транзисторы и специальные мощные и высоковольтные транзисторы для различной аппаратуры, ВЧ и СВЧ мощные кремниевые полевые транзисторы, полевые транзисторы средней и большой мощности на арсениде галлия с отдаваемой мощностью до 10 Вт на частоте 5-6 ГГц, СВЧ малошумящие транзисторы, линейные и матричные ПЗС формирователи видеосигнала в видимом диапазоне спектра и управляющие КМОП БИС.