Кремниевые n-p-n биполярные мощные СВЧ импульсные транзисторы

Тип изделия Pout GP Frequency Efficiency  UCC RqJC τ Q  Корпус
W dB GHz % V C/W mcS
2Т9127К* 125 6 0.82-0.92 35 45 0.4 10 100 КТ-55
2Т9127И 250 6 0.82-0.92 35 45 0.2 10 100 КТ-55
2Т986Г 350 7 0.8 35 45 0.12 10 100 КТ-59
2Т9127Ж* 500 6 0.82-0.92 35 45 0.1 10 100 КТ-55
2Т9127Е* 125 6 1.025-1.150 35 45 0.4 10 100 КТ-55
2Т9127Д 250 6 1.025-1.150 35 45 0.2 10 100 КТ-55
2Т9127Г* 250 6 1.025-1.150 35 45 0.2 10 100 КТ-55
2Т9127В 500 6 1.025-1.150 35 45 0.1 10 100 КТ-55
2Т9127Б* 500 6 1.025-1.150 35 45 0.1 10 100 КТ-55
2Т9127А* 500 6 1.025-1.150 35 45 0.1 10 100 КТ-55
2Т9118В 100 6 0.96-1.22 45 32 1.15 300 5 КТ-57
2Т(КТ)977А 50   1.5 20 40 0.45 10 100 КТ-25
2Т975Б 100 6 1.5 35 45 0.38 10 100 КТ-59
2Т975А 200 6 1.5 30 45 0.19 10 100 КТ-59
2Т986Б 300 6 1.5 30 45 0.15 10 100 КТ-59
2Т986А 350 6 1.5 30 45 0.12 10 100 КТ-59
2Т986В 350 7 1.5 35 45 0.12 10 100 КТ-59
2Т994Б 400 6 1.5 30 45 0.1 10 100 КТ-62
2Т994А 500 7 1.5 30 45 0.09 10 100 КТ-62
2Т9203А-2 100 7 1,21-1,44 45 35 0.7 50 10 нестанд.**
2Т9203Б-2 50 7 1,21-1,44 45 35 1.4 50 10 нестанд.**
2Т9203В-2 25 7 1,21-1,44 45 35 2.8 50 10 нестанд.**
2Т9203Г-2 150 6 1.5 40 35 0.3 50 10 нестанд.**
2Т9203Д-2 50 7 1.5 45 35 0.6 50 10 нестанд.**
2Т9203 Е-2 25 7 1.5 45 35 1.2 50 10 нестанд.**
2Т9196 А-2 350 6 1.0-1.5 35 40 1.7 30 50 КТ-61
2Т9196 Б-2 150 6 1.0-1.5 35 40 1.7 30 50 нестанд.

  *with input  indutance

 

Корпус KT-25

 

Корпус KT-55

 

 

Корпус КТ-57

 

Корпус КТ-59

 

Корпус КТ-61

 

Корпус КТ-62

 

Тип изделия P out I  Gp Frequency Efficiency τ Q Корпус
W dB GHz % mcs  
2Т9196 А-2 350 6 1,0-1,5 35 30 50 КТ-61
2Т9196 Б-2 150 6 1,0-1,5 35 30 50 Нестанд.
2Т9199Г-2* 55* 10 0,43-0,44 65 - - КТ-57

*  в непрерывном режиме

 

Корпус КТ-57

 

Корпус КТ-61